原子层沉积（ALD，Atomic Layer Deposition）设备是一种基于表面自限反应原理的先进薄膜沉积设备。通过交替引入不同前驱体气体，在基板表面逐层沉积原子级厚度的薄膜，实现对膜层厚度、均匀性及成分的精确控制。ALD技术具有优异的台阶覆盖率、膜厚控制精度和薄膜一致性，是先进半导体制造和高端材料制备的重要工艺之一。
随着芯片制程向更小节点发展，以及3D NAND、FinFET、DRAM存储器制造等先进器件结构的广泛应用，ALD已成为半导体制造中不可或缺的核心工艺，广泛用于高介电常数（High-k）材料、栅极氧化层、阻挡层、钝化层及功能薄膜的沉积。
ALD设备通常运行于高真空或低压环境，并涉及晶圆传输、基板旋转及真空隔离等运动机构，对设备洁净度、密封性能及运行可靠性具有极高要求。磁流体密封采用非接触式密封原理，可在实现旋转运动的同时保持高可靠性的真空密封和工艺气体隔离，有效避免机械磨损和颗粒污染，为ALD设备提供长期稳定的运行保障。
